从本机内部可看出设计者偏好采取精简的放大电路结构,前级与「后级的前半段」(输出级之前),都采用SMD方式制作,将小信号放大电路凝缩。在后级部分,输入级采JFET(2SK389)的单差动结构,输出级则一口气用上了16枚(每声道四对)配对的Toshiba Power MOSFET,以本机每声道150瓦的输出功率来看,照理说应该不需要使用那么多Power MOS,使用多对并联无非是为了降低输出阻抗,增强本机对应低阻抗喇叭的驾驭能力。在各级放大电路之间,本机均采取直接交连方式,因此低频向下延伸范围可至DC(0Hz)。